Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDFN33
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
23.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,9 nC a 10 V
Ancho
3.2mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
0.8mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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P.O.A.
25
P.O.A.
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Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDFN33
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
23.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,9 nC a 10 V
Ancho
3.2mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
0.8mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.