MOSFET MagnaChip MDU1516URH, VDSS 30 V, ID 47 A, PowerDFN56 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
47 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDFN56
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
35.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,6 nC a 10 V
Ancho
5.1mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerDFN56
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
35.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,6 nC a 10 V
Ancho
5.1mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
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