MOSFET MagnaChip MDP1921TH, VDSS 100 V, ID 153 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
153 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
223 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
100 nC a 10 V
Ancho
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
16.51mm
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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10
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N
Maximum Continuous Drain Current
153 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
223 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
100 nC a 10 V
Ancho
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
16.51mm
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.
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