MOSFET MagnaChip MDF9N50BTH, VDSS 500 V, ID 9 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.71mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,7 nC a 10 V
Ancho
4.93mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
16.13mm
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
MOSFET (HV) de alta tensión
MOSFET de canal N de alta tensión, con resistencia de encendido baja y alto rendimiento de conmutación.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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P.O.A.
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N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.71mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,7 nC a 10 V
Ancho
4.93mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
16.13mm
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