MOSFET MagnaChip MDF3N50TH, VDSS 500 V, ID 2,8 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 871-6661Marca: MagnaChipNúmero de parte de fabricante: MDF3N50TH
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

30.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

10.71mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,75 nC a 10 V

Ancho

4.93mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

Altura

16.13mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET (HV) de alta tensión

MOSFET de canal N de alta tensión, con resistencia de encendido baja y alto rendimiento de conmutación.

MOSFET Transistors, MagnaChip

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N

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

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500 V

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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

30.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

10.71mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,75 nC a 10 V

Ancho

4.93mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

Altura

16.13mm

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