MOSFET MagnaChip MDF11N60BTH, VDSS 660 V, ID 11 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
660 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
49 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.93mm
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.71mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.13mm
Tensión de diodo directa
1.4V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET (HV) de alta tensión
MOSFET de canal N de alta tensión, con resistencia de encendido baja y alto rendimiento de conmutación.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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| 50 - 90 | € 0,856 | € 8,56 |
| 100 - 240 | € 0,805 | € 8,05 |
| 250 - 490 | € 0,74 | € 7,40 |
| 500+ | € 0,682 | € 6,82 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
660 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
49 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.93mm
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.71mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.13mm
Tensión de diodo directa
1.4V
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