MOSFET MagnaChip MDD3N50GRH, VDSS 500 V, ID 2,8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,75 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (HV) de alta tensión
MOSFET de canal N de alta tensión, con resistencia de encendido baja y alto rendimiento de conmutación.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,75 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
Altura
2.39mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (HV) de alta tensión
MOSFET de canal N de alta tensión, con resistencia de encendido baja y alto rendimiento de conmutación.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products