MOSFET MagnaChip MDD1501RH, VDSS 30 V, ID 67 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
67 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
44,6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,7 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
2.39mm
País de Origen
Korea, Republic Of
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P.O.A.
25
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N
Maximum Continuous Drain Current
67 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
44,6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,7 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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