MOSFET IXYS IXFN48N60P, VDSS 600 V, ID 40 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 194-473Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFN48N60P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Screw Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

140 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

625000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

150 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

38.23mm

Profundidad

25.42mm

Material del transistor

Si

Altura

9.6mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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MOSFET IXYS IXFN48N60P, VDSS 600 V, ID 40 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

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1

Disponible en múltiplos de 1
1€ 28,96
2€ 57,91
3€ 86,87
4€ 115,83
5€ 118,88
6€ 142,66
7€ 166,43
8€ 190,21
9€ 213,98
10€ 237,76
11€ 261,54
12€ 285,31
13€ 309,09
14€ 332,86
15€ 356,64

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N

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Serie

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Screw Mount

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4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

140 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

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±30 V

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Si

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