MOSFET IXYS IXFN44N100P, VDSS 1.000 V, ID 37 A, SOT-227B de 4 pines

Código de producto RS: 125-8044Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFN44N100P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

37 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1000 V

Tipo de Encapsulado

SOT-227B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

220 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

6.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

890000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

25.07mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

38.23mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

305 nC a 10 V

Altura

9.6mm

Serie

Polar HiPerFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.5V

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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MOSFET IXYS IXFN44N100P, VDSS 1.000 V, ID 37 A, SOT-227B de 4 pines

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
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N

Maximum Continuous Drain Current

37 A

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Tipo de Encapsulado

SOT-227B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

220 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

6.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

890000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

25.07mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

38.23mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

305 nC a 10 V

Altura

9.6mm

Serie

Polar HiPerFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.5V

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