MOSFET IXYS IXFK48N50, VDSS 500 V, ID 48 A, TO-264AA de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
48 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
HiperFET
Tipo de Encapsulado
TO-264AA
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
500 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
19.96mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
270 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.13mm
Material del transistor
Si
Altura
26.16mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 611,76
€ 24,47 Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
25
€ 611,76
€ 24,47 Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
25
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
48 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
HiperFET
Tipo de Encapsulado
TO-264AA
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
500 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
19.96mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
270 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.13mm
Material del transistor
Si
Altura
26.16mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products