MOSFET IXYS IXFH88N30P, VDSS 300 V, ID 88 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
88 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
300 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
600000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Profundidad
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.26mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
21.46mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 11,46
€ 11,46 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 11,46
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 5 | € 11,46 |
| 6 - 14 | € 10,54 |
| 15+ | € 10,01 |
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3
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Modo de Canal
Mejora
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5V
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
5.3mm
Material del transistor
Si
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16.26mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
21.46mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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