MOSFET IXYS IXFH22N60P3, VDSS 600 V, ID 22 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
HiperFET, Polar3
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
360 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
500000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
5.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Altura
21.46mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
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Número de Elementos por Chip
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
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-55 °C
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