Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
850 V
Serie
HiperFET
Tipo de Encapsulado
PLUS264
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
1,79 kW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
20.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
340 @ 10 V nC
Altura
26.59mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
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5 - 9 | € 35,94 |
10+ | € 34,99 |
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Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
850 V
Serie
HiperFET
Tipo de Encapsulado
PLUS264
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
1,79 kW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
20.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
340 @ 10 V nC
Altura
26.59mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V