Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
PLUS264
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
1,56 kW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
20.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
355 NC a 10 V NC
Altura
26.59mm
Serie
HiperFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
PLUS264
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
1,56 kW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
5.31mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
20.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
355 NC a 10 V NC
Altura
26.59mm
Serie
HiperFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V