MOSFET IXYS IXFA4N85X, VDSS 850 V, ID 3,5 A, D2PAK (TO-263) de 2 + Tab pines, config. Simple

Name: MOSFET IXYS IXFA4N85X, VDSS 850 V, ID 3,5 A, D2PAK (TO-263) de 2 + Tab pines, config. Simple
Brand: IXYS
SKU: 1464407

Código de producto RS: 146-4407Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFA4N85X

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

850 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

2 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

10.92mm

Longitud

10.41mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 a 10 V nC

Serie

HiperFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

Altura

4.7mm

PRICED TO CLEAR

Yes

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Brand

IXYS

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

850 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

2 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

10.92mm

Longitud

10.41mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 a 10 V nC

Serie

HiperFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

Altura

4.7mm

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