Diodo, DSEP2x31-03A, 2 x 30A, 300V, SOT-227B, 4-Pines 1.4V, Diodo epitaxial de recuperación rápida
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-227B
Corriente Continua Máxima Directa
2 x 30A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
300V
Configuración de diodo
Isolated
Tipo de Rectificador
General Purpose
Tipo de Diodo
Diodo epitaxial de recuperación rápida
Conteo de Pines
4
Caída de tensión directa máxima
1.4V
Número de Elementos por Chip
2
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
300A
Distrelec Product Id
30253212
Datos del producto
Módulos de diodo FRED duales serie DSEP2x
Los módulos de la serie IXYS DSEP2x contienen dos diodos epitaxiales de recuperación rápida (FRED) aislados en un encapsulado moldeado sencillo con conexiones roscadas M4 y base de fijación aislada roscada de dos orificios. Los diodos FRED disponen de corrientes de recuperación inversa bajas, que reducen las pérdidas de potencia y mejoran la eficiencia de conmutación. El tiempo de recuperación inversa muy corta con excelente comportamiento de recuperación suave mejora el rendimiento EMI/RFI.
• Chips de pasivado planar
• Comportamiento térmico mejorado
• Corriente de fuga muy baja
• Recuperación inversa suave para EMI/RFI baja
• Valor nominal de avalancha para funcionamiento fiable
Diodes and Rectifiers, Ixys
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€ 29,12 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 1 | € 29,12 |
| 2 - 4 | € 28,55 |
| 5+ | € 27,67 |
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Configuración de diodo
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General Purpose
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Diodo epitaxial de recuperación rápida
Conteo de Pines
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1.4V
Número de Elementos por Chip
2
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
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Módulos de diodo FRED duales serie DSEP2x
Los módulos de la serie IXYS DSEP2x contienen dos diodos epitaxiales de recuperación rápida (FRED) aislados en un encapsulado moldeado sencillo con conexiones roscadas M4 y base de fijación aislada roscada de dos orificios. Los diodos FRED disponen de corrientes de recuperación inversa bajas, que reducen las pérdidas de potencia y mejoran la eficiencia de conmutación. El tiempo de recuperación inversa muy corta con excelente comportamiento de recuperación suave mejora el rendimiento EMI/RFI.
• Chips de pasivado planar
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