Transistor MOSFET International Rectifier IRLML2803, VDSS 30 V, ID 1,2 A, SOT-23 de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
540 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,3 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Profundidad
1.4mm
Series
HEXFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.02mm
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
540 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,3 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Profundidad
1.4mm
Series
HEXFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.02mm