MOSFET International Rectifier IRLML2502TRPBF, VDSS 20 V, ID 4,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Serie
IRLML2502
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8 nC a 5 V
Altura
1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 0,119
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
€ 0,119
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,119 | € 357,26 |
6000 - 6000 | € 0,113 | € 339,74 |
9000+ | € 0,106 | € 318,73 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Serie
IRLML2502
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8 nC a 5 V
Altura
1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V