Transistor MOSFET International Rectifier IRFB7530PBF, VDSS 60 V, ID 195 A, 295 A, TO-220AB de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
195 A, 295 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
StrongIRFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
294000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
274 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Ancho
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.51mm
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
294000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Ancho
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.51mm
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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