Transistor MOSFET International Rectifier IRF2804PBF, VDSS 40 V, ID 280 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

280 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

330000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

160 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Profundidad

4.83mm

Material del transistor

Si

Series

HEXFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

9.02mm