MOSFET Infineon SPW47N60C3FKSA1, VDSS 650 V, ID 47 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
47 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
CoolMOS™ C3
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
415 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
252 nC a 10 V
Profundidad
5.3mm
Material del transistor
Si
Altura
20.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 14,13 Each (Sin IVA)
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1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | € 14,13 |
| 5 - 9 | € 13,42 |
| 10 - 24 | € 12,86 |
| 25 - 49 | € 12,28 |
| 50+ | € 11,44 |
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Tipo de montaje
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3
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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1
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Tensión de diodo directa
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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
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