MOSFET Infineon SPW35N60C3FKSA1, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 752-8502PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPW35N60C3FKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

CoolMOS™ C3

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

313 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

150 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

16.13mm

Profundidad

5.21mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

21.1mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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10 - 24€ 9,61
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3

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

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