MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
SIPMOS
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
340 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.57mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
115 nC a 10 V
Altura
15.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
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| 100 - 200 | € 2,503 | € 125,14 |
| 250+ | € 2,351 | € 117,54 |
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-60 V
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SIPMOS
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
340 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.57mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
15.95mm
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-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
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MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
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