Transistor MOSFET Infineon SPP20N60S5, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

20,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

208000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

79 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

8.64mm

Profundidad

10.26mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.4mm