MOSFET Infineon SPD30P06PGBTMA1, VDSS 60 V, ID 30 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
SIPMOS®
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.7V
Altura
2.41mm
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| 250 - 490 | € 1,092 | € 10,92 |
| 500 - 1240 | € 0,954 | € 9,54 |
| 1250+ | € 0,761 | € 7,61 |
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P
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
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Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.7V
Altura
2.41mm
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MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
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