MOSFET Infineon SPB20N60C3ATMA1, VDSS 650 V, ID 20,7 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 898-6882PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPB20N60C3ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

21,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

208000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

87 nC a 10 V

Profundidad

11.05mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Altura

4.57mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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N

Maximum Continuous Drain Current

21,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

208000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

87 nC a 10 V

Profundidad

11.05mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Altura

4.57mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

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