MOSFET Infineon SPB17N80C3ATMA1, VDSS 800 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
290 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
227 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.31mm
Profundidad
9.45mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Series
CoolMOS C3
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.57mm
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
290 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
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Profundidad
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Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
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CoolMOS C3
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
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