MOSFET Infineon SPA20N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 20,7 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Serie
SPA20N60C3
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
34.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
87 nC a 10 V
Ancho
4.85mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
0
Ganancia de Potencia Típica
0
Altura
16.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,976 | € 9,95 |
| 10 - 18 | € 4,725 | € 9,45 |
| 20 - 48 | € 4,257 | € 8,51 |
| 50 - 98 | € 3,83 | € 7,66 |
| 100+ | € 3,637 | € 7,27 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Serie
SPA20N60C3
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
34.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
87 nC a 10 V
Ancho
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Número de Elementos por Chip
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