MOSFET Infineon SPA11N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 11 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Series
CoolMOS™ C3
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
33 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
10.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.85mm
Altura
9.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 122,82
$ 2,456 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2,456 | $ 122,82 |
| 100 - 200 | $ 2,334 | $ 116,68 |
| 250+ | $ 2,187 | $ 109,33 |
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Series
CoolMOS™ C3
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
33 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
10.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.85mm
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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