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MOSFET Infineon SI4435DYTRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-1913PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SI4435DYTRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

Si4435DYPbF

Tipo de Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

35 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

4mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.5mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Ganancia de Potencia Típica

0

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€ 6,73

€ 0,673 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Infineon SI4435DYTRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 6,73
20€ 13,46
30€ 20,19
40€ 26,92
50€ 33,65
60€ 40,38
70€ 47,11
80€ 53,84
90€ 60,57
100€ 63,83
110€ 70,21
120€ 76,59
130€ 82,97
140€ 89,36
150€ 95,74

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10

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20€ 13,46
30€ 20,19
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50€ 33,65
60€ 40,38
70€ 47,11
80€ 53,84
90€ 60,57
100€ 63,83
110€ 70,21
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130€ 82,97
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
10 - 90€ 0,673€ 6,73
100 - 240€ 0,638€ 6,38
250 - 490€ 0,612€ 6,12
500 - 990€ 0,586€ 5,86
1000+€ 0,545€ 5,45

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Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

Si4435DYPbF

Tipo de Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

35 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

4mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

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