Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
512Mbit
Tipo de Interfaz
CFI, Paralelo
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
56
Organización
32M x 16 bits
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Número de Palabras
32M
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Número de Bits de Palabra
16bit
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
110ns
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
€ 7,68
€ 7,68 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Organización
32M x 16 bits
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Número de Palabras
32M
Temperatura de Funcionamiento Mínima
–40 °C
Número de Bits de Palabra
16bit
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
110ns
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.