Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
16Mbit
Tipo de Interfaz
CFI, Paralelo
Tipo de Encapsulado
FC FBGA
Conteo de Pines
48
Organización
1M x 16 bits, 2M x 8 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones del Cuerpo
8.15 x 6.15 x 0.76mm
Número de Palabras
1M, 2M
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16 bit
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
16Mbit
Tipo de Interfaz
CFI, Paralelo
Tipo de Encapsulado
FC FBGA
Conteo de Pines
48
Organización
1M x 16 bits, 2M x 8 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Dimensiones del Cuerpo
8.15 x 6.15 x 0.76mm
Número de Palabras
1M, 2M
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16 bit
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.