MOSFET Infineon IRLS3034TRLPBF, VDSS 40 V, ID 343 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código de producto RS: 168-6037Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRLS3034TRLPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

343 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Series

HEXFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

108 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.83mm

Longitud

10.67mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

9.65mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 1.441,09

$ 1,801 Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IRLS3034TRLPBF, VDSS 40 V, ID 343 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

800

Disponible en múltiplos de 800
800$ 1.441,09
1600$ 2.882,17
2400$ 4.323,26
3200$ 5.764,34
4000$ 7.205,43
4800$ 8.646,51
5600$ 10.087,60
6400$ 11.528,68
7200$ 12.969,77
8000$ 14.410,85
8800$ 15.851,94
9600$ 17.293,02
10400$ 18.734,11
11200$ 20.175,20
12000$ 21.616,28

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Información de stock no disponible temporalmente.

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Series

HEXFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

108 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.83mm

Longitud

10.67mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

9.65mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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