MOSFET Infineon IRLML6344TRPBF, VDSS 30 V, ID 5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
37 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,8 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.02mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| 500 - 980 | € 0,223 | € 4,47 |
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| 2000+ | € 0,192 | € 3,84 |
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HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
37 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Ancho
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Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.02mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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