MOSFET Infineon IRLML6344TRPBF, VDSS 30 V, ID 5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 913-4073Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRLML6344TRPBF
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

37 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.5V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,8 nC a 4,5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.02mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Información de stock no disponible temporalmente.

$ 384,80

$ 0,128 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IRLML6344TRPBF, VDSS 30 V, ID 5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

$ 384,80

$ 0,128 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IRLML6344TRPBF, VDSS 30 V, ID 5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
3000 - 3000$ 0,128$ 384,80
6000 - 6000$ 0,122$ 364,76
9000+$ 0,114$ 340,71

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

37 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.5V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,8 nC a 4,5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.02mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more