MOSFET Infineon IRLML0100TRPBF, VDSS 100 V, ID 1,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
235 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,5 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.02mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 3,29
€ 0,329 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
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10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,329 | € 3,29 |
| 100 - 240 | € 0,314 | € 3,14 |
| 250 - 490 | € 0,305 | € 3,05 |
| 500 - 990 | € 0,188 | € 1,88 |
| 1000+ | € 0,168 | € 1,68 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
235 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
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1
Longitud
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
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Altura
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MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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