Transistor MOSFET Infineon IRFZ44ESPBF, VDSS 60 V, ID 48 A, D2PAK de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
48 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK, TO-263AB
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Series
HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
4.83mm
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N
Maximum Continuous Drain Current
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D2PAK, TO-263AB
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
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