Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
205 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
66 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.39mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
6.22mm
País de Origen
Mexico
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P.O.A.
75
P.O.A.
75
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
205 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
66 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.39mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
6.22mm
País de Origen
Mexico