MOSFET Infineon IRFS7534TRL7PP, VDSS 60 V, ID 240 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
240 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
StrongIRFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK-7
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
290 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
200 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 20 - 48 | € 2,99 | € 5,98 |
| 50 - 98 | € 2,787 | € 5,57 |
| 100 - 198 | € 2,589 | € 5,18 |
| 200+ | € 2,386 | € 4,77 |
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N
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-60 V
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D2PAK-7
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
290 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
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1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
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Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
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