MOSFET Infineon IRFS4010TRL7PP, VDSS 100 V, ID 190 A, D2PAK-7 de 7 pines

Código de producto RS: 130-0998PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFS4010TRL7PP
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

190 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

D2PAK-7

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

380 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

9.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

150 nC a 10 V

Altura

4.83mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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100 - 198€ 3,07€ 6,14
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Modo de Canal

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Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

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Longitud

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Altura

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Tensión de diodo directa

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