Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Serie
IRFR5305PBF
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Ancho
7.49mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.39mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
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€ 0,504
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Serie
IRFR5305PBF
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Ancho
7.49mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.39mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V