MOSFET Infineon IRFR3910PBF, VDSS 100 V, ID 16 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Serie
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
115 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
79000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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P.O.A.
75
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N
Maximum Continuous Drain Current
-16 A
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Serie
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
115 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
79000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
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