MOSFET Infineon IRFP7430PBF, VDSS 40 V, ID 195 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
195 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
StrongIRFET
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
366 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
460 nC a 10 V
Altura
20.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
195 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
StrongIRFET
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
366 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
460 nC a 10 V
Altura
20.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.