MOSFET Infineon IRFP4710PBF, VDSS 100 V, ID 72 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
15.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
5.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Altura
20.3mm
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Mexico
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P.O.A.
50
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N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
15.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
5.3mm
Número de Elementos por Chip
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Si
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