MOSFET Infineon IRFP2907ZPBF, VDSS 80 V, ID 170 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
170 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
310000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
15.9mm
Profundidad
5.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
20.3mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| 20 - 48 | € 4,438 | € 8,88 |
| 50 - 98 | € 4,175 | € 8,35 |
| 100 - 198 | € 3,859 | € 7,72 |
| 200+ | € 3,596 | € 7,19 |
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Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 m.Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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Si
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Altura
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MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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