MOSFET Infineon IRFL4310TRPBF, VDSS 100 V, ID 2,2 A, SOT-223 de 3 + Tab pines, config. Simple

Código de producto RS: 170-2257Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFL4310TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

2.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

200 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2.1 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

3.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

6.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

17 nC a 10 V

Altura

1.8mm

Serie

IRFL4310PbF

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

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P.O.A.

MOSFET Infineon IRFL4310TRPBF, VDSS 100 V, ID 2,2 A, SOT-223 de 3 + Tab pines, config. Simple

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

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N

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2.2 A

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SOT-223-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

200 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2.1 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

3.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

6.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

17 nC a 10 V

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