MOSFET Infineon IRFH5406TRPBF, VDSS 60 V, ID 40 A, PQFN de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 907-5189PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFH5406TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

PQFN

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

46 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21 nC @ 10 V

Profundidad

5mm

Material del transistor

Si

Series

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

0.85mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon IRFH5406TRPBF, VDSS 60 V, ID 40 A, PQFN de 8 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

46 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Profundidad

5mm

Material del transistor

Si

Series

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

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MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

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