Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PQFN
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14,4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21 nC @ 10 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Series
HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
0.85mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
10
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N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PQFN
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14,4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21 nC @ 10 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Series
HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
0.85mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.