MOSFET Infineon IRFH5406TRPBF, VDSS 60 V, ID 40 A, PQFN de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 907-5189PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFH5406TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

PQFN

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

46 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21 nC @ 10 V

Profundidad

5mm

Material del transistor

Si

Series

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

0.85mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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N

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PQFN

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Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

46 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21 nC @ 10 V

Profundidad

5mm

Material del transistor

Si

Series

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

0.85mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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