MOSFET Infineon IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 124-9004Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFB3607PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

75 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud

10.66mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

56 nC a 10 V

Ancho

4.82mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

9.02mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

País de Origen

Mexico

Datos del producto

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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MOSFET Infineon IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50€ 45,65
100€ 76,70
150€ 115,06
200€ 153,41
250€ 178,04
300€ 213,65
350€ 249,26
400€ 284,87
450€ 320,48
500€ 333,32
550€ 366,65
600€ 399,99
650€ 433,32
700€ 466,65
750€ 499,98

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Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud

10.66mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

56 nC a 10 V

Ancho

4.82mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

9.02mm

Temperatura Mínima de Operación

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Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

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