Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
210 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
120 nC a 10 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
9.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon
MOSFET para control del motor
Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.
MOSFET de rectificador síncrono
Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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100 - 200 | € 1,175 | € 58,72 |
250 - 450 | € 1,095 | € 54,76 |
500 - 950 | € 1,034 | € 51,72 |
1000+ | € 1,009 | € 50,44 |
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InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
210 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
120 nC a 10 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
9.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon
MOSFET para control del motor
Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.
MOSFET de rectificador síncrono
Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.